Activities — Domestic Conferences —



Domestic Conferences

 

Cs吸着したGaAs(001)熱処理表面におけるSTM観察 ～ 表面形状と量子効率の関係 ～

昇温脱離法によるアルカリアンチモンカソードの組成分析
飯島北斗，緑川早紀，圓谷美雄，三浦丈幸，目黒多加志
日本物理学会第70回年次大会（東京都新宿区、2015年3月21日〜24日）

NEA GaAsフォトカソードのための針構造の作成
田中 翔太、平尾 昌幸、松尾 和俊、飯島 北斗、塩川 高雄、目黒 多加志
第62回応用物理学会春季学術講演会（神奈川県平塚市、2015年3月11日〜15日）

GaAsにおけるNEA活性化表面過程の面方位依存性
稲垣 雄大、早瀬 和哉、飯島 北斗、目黒 多加志
第62回応用物理学会春季学術講演会（神奈川県平塚市、2015年3月11日〜15日）

Cs吸着したGaAs(001)熱処理表面におけるSTM観察　〜表面形状と量子効率の関係〜
矢崎 貴紀、山中 大地、山崎 颯、飯島 北斗、目黒 多加志
第62回応用物理学会春季学術講演会（神奈川県平塚市、2015年3月11日〜15日）

NEA-GaAs表面における光電子放出特性
目黒多加志、飯島北斗、早瀬和哉、平尾昌幸、鈴木一成、矢崎貴紀
光・量子デバイス研究会「ナノメディシンに向けた光・量子ビーム応用」（大分県由布市、2015年1月26 〜 27日 ）

GaAs(001)As 終端(2×4)再構成面への Cs 及びO2 供給時における STM 観察
矢崎貴紀、大迫隼、山中大地、山崎颯、飯島北斗、目黒多加志
第33回法政大学イオンビーム光学研究所シンポジウム（東京都小金井市、2014年12月10日）

エネルギー分散型 X 線分析によるアルカリーアンチモンカソードの定量評価
飯島北斗, 緑川早紀, 目黒多加志
第11回加速器学会年会（青森県青森市、2014年8月9日〜11日）

NEA 表面状態の GaN 系半導体フォトカソードの電子ビーム源への応用
西谷智博、岡田育夫、田渕雅夫、天野浩、本田善央。石田幸貴、目黒多加志
日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第90回研究会（愛知県名古屋市、2014年7月4日）

負の電子親和力表面形成過程における酸素の寄与の研究
早瀬 和哉、鈴木 一成、稲垣 雄大 , 千葉 亮祐 , 飯島 北斗 , 目黒 多加志
第61回応用物理学会春季学術講演会（相模原市、2014年3月17日〜20日）

Cs/GaAs表面における表面処理の熱履歴と量子効率の関係
稲垣 雄大 , 早瀬 和哉、鈴木 一成、千葉 亮祐 , 飯島 北斗 , 目黒 多加志
第61回応用物理学会春季学術講演会（相模原市、2014年3月17日〜20日）

表面光吸収法を用いた酸素の寄与による光電子放出における負の電子親和力表面のその場観察
早瀬 和哉、鈴木 一成、稲垣 雄大 , 千葉 亮祐 , 飯島 北斗 , 目黒 多加志
第32回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム（小金井市、2013年12月4日）

表面光吸収法による Cs/GaAs 系 NEA 表面形成過程のその場観察
鈴木一成，早瀬和哉，稲垣雄大，千葉亮祐，緑川早紀，目黒多加志
第74回応用物理学会秋季学術講演会（京都、(2013年9月16日〜20日)）

表面光吸収法を用いた p-GaAs 表面における負の電子親和力表面活性化過程のその場観察
早瀬和哉、西谷智博、鈴木一成、田渕雅夫、目黒多加志
ナノ学会第11回大会（東京、(2013年 6月6日(木) 〜８日(土) ）

ヒ素終端 GaAs(100)表面における Cs および O2の吸着過程の STM 観察
大迫 隼、矢崎貴紀、目黒多加志
ナノ学会第11回大会（東京、(2013年 6月6日(木) 〜８日(土) ）

GaAs(100)表面におけるCsおよびO2吸着過程のSTM観察
大迫隼，矢崎貴紀，目黒多加志
第60回応用物理学会春季学術講演会（厚木市、 2013年3月27日(水) ～ 30日(土) ）

表面光吸収法を用いたGaAs表面における負の電子親和力表面形成過程のその場観察
早瀬和哉，鈴木一成，今井啓修，長谷川順一，難波大貴，西谷智博，田渕雅夫，目黒多加志
第60回応用物理学会春季学術講演会（厚木市、 2013年3月27日(水) ～ 30日(土) ）

ナノ科学とナノ技術の最近の動向
目黒多加志
次世代ナノ技術研究会「次世代プロセス技術によるナノ構造の形成と応用」 （調布市、2013年1月29日）

Cs/GaAs系NEA表面のその場観察
目黒多加志、早瀬和哉, 大迫　隼、西谷智博、田渕雅夫
光・量子ビームによるナノダイナミクス応用技術調査専門委員会・第2回研究会（福井市、2013年1月22日）

表面光吸収法を用いたGaAs半導体による負の電子親和力表面形成過程のその場観察
早瀬和哉、西谷智博、鈴木一成、今井啓修、長谷川順一、難波大貴、目黒多加志
第31回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム（小金井市、2012年12月6日）

Texured surfaceでのNEA (Negative Electron Affinity)
平尾昌幸、早瀬和哉、関田冬人、山谷悠人、塩川高雄、秋元彦太、目黒多加志
第31回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム（小金井市、2012年12月6日）

多価イオンを用いたナノダイヤモンド作成
目黒多加志
埼玉工業大学・第８回若手研究フォーラム（深谷市、2010年7月）